Hafnio farfulla 'befi, mextha pureza, nsä'mi monolítico, Planar, catódica, PVD deposición película delgada, capa, HF magnetrón Sputtering nt'ot'e fabricante ne proveedor ar

Hafnio Haohai nt'axi ar sputtering bí thogi ar barra xí xito refinados da asegura circonio hñets'i'i contenido, pureza elevada ne ar mextha ya confiabilidad, ya ampliamente utilizados jar recubrimiento película delgada ar semiconductores.

Chatear nu'bya

Sonraí Táirge

HAFNIO FARFULLA 'BEFI

Basado jar hafnio películas delgadas Haohai hafnio (Hf) nt'axi ar sputtering, ar utilizan komongu aislante ja ya 'ra'yo 'mui semiconductores. Ar película fina impide da cobre difusión jar silicio. Óxido hafnio amorfo pe̲ts'i 'nar nzäm'bu̲ dieléctrica alta, permite ar reducción ar salida goxthi nu'bya ne mejora ar rendimiento ar electrónica.

Ma blanco sputtering hafnio xí barra xí xito elegante da asegura ar contenido circonio baja, mextha ar pureza ne ar mextha ar confiabilidad.

HaohaiHafnio (Hf)Farfulla ya 'befi incluyenHafniont'ot'e ar pulverización planas.




Blanco sputtering hafnio Planar (rectangular, circular)

Gama fabricación

Rectángulo ar

Longitud (mm)

Ancho (mm)

Espesor (mm)

Ya encargo

10 - 1500

10 - 400

5.0 - 40

Circular

Diámetro (mm)


Espesor (mm)

5.0 - 400


5.0 - 40


Especificación

Composición

HF

Pureza

3N5 (99.95%)

Densidad

13,31 g yá cm3

Tamaños grano

andlt; 150 micrones wa da petición

Procesos fabricación

Vacío fusión,Mecanizado

Dets'e

Placa monolítica, dividido jar varios segmentos objetivo

Xingu

Placa, disco, ya bi thogi, abajo ar emperna, Threading, ir nge ya encargo

Superficie

RA 1.6 micrones

Ma 'ra ya especificaciones

Llanura, superficie 'Beni lisa, pulida, mpe̲fi ar asete, punto, crack, etc..

Excelentes conducciones, coeficiente dilatación lineal t'olo ne hño resistencia jar ar pa.



Pa hafnio ma farfulla 'befi

Mpumbuni

Nä'ä mä ya dibujos wa da petición.


Contenido impurezas [ppm]

Contenido hafnio [ppm]


HF

Pureza [%]


99.95

Impurezas metálicas [ppm]

Ya ar

25

B

0.5

BI

1

CD

2.5

CR

30

Co

5

Nt'eme

95

Mg

2

MN

20

Mo

10

NB

50

Otho

25

Hää

25

Nu'i

20

W

20

ZR

5

Impurezas hingi metálicas [ppm]

C

20

N

5

O

50

HNE

10

Garantizada ar densidad [g yá cm3]


13.3

Tamaño grano [μm]


150


Nt'ot'e

Recubrimiento resistente ja ar desgaste

Revestimiento decorativo

Capa óptica

Semiconductors


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